2SK3666-2-TB-E Ficha de dados
Especificações para 2SK3666-2-TB-E
Número da peça :
2SK3666-2-TB-E
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
JFET NCH 30V 200MW 3CP
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tensão - Divisão (V (BR) GSS) :
-
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs = 0) :
600µA @ 10V
Dreno atual (Id) - Max :
10mA
Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id :
180mV @ 1µA
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4pF @ 10V
Resistência - RDS (On) :
200 Ohms
Potência - Max :
200mW
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
3-CP
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-2SK3666-2-TB-E
Fabricante
Descrição breve
JFET NCH 30V 200MW 3CP
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
7565579 Peças
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