2SK879-Y(TE85L,F) Ficha de dados
Especificações para 2SK879-Y(TE85L,F)
Número da peça :
2SK879-Y(TE85L,F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
JFET N-CH 0.1W USM
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tensão - Divisão (V (BR) GSS) :
-
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
-
Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs = 0) :
1.2mA @ 10V
Dreno atual (Id) - Max :
-
Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id :
400mV @ 100nA
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
8.2pF @ 10V
Resistência - RDS (On) :
-
Potência - Max :
100mW
Temperatura de operação :
125°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SC-70, SOT-323
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
USM
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
JFET N-CH 0.1W USM
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
4641252 Peças
Preço de referência
Nosso preço
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