EFC6601R-TR Ficha de dados
Especificações para EFC6601R-TR
Número da peça :
EFC6601R-TR
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET 2N-CH EFCP
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
-
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
48nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potência - Max :
2W
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
6-XFBGA, FCBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
EFCP2718-6CE-020
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-EFC6601R-TR
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH EFCP
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
2593185 Peças
Preço de referência
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