Especificações para IGLD60R070D1AUMA1

Número da peça : IGLD60R070D1AUMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IC GAN FET 600V 60A 8SON
Series : CoolGaN™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 15A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 2.6mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : -10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 114W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-LSON-8-1
Pacote / caso : 8-LDFN Exposed Pad
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Descrição breve
IC GAN FET 600V 60A 8SON
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
76219 Peças
Preço de referência
USD 0
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