IGT60R070D1ATMA1 Ficha de dados
Especificações para IGT60R070D1ATMA1
Número da peça :
IGT60R070D1ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
Series :
CoolGaN™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
31A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 2.6mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
-10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
380pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-HSOF-8-3
Pacote / caso :
8-PowerSFN
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-IGT60R070D1ATMA1
Fabricante
Descrição breve
IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
75036 Peças
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