JAN1N5809URS Ficha de dados
Especificações para JAN1N5809URS
Número da peça :
JAN1N5809URS
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
Series :
Military, MIL-PRF-19500/477
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Atual - Média Retificada (Io) :
3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
875mV @ 4A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
30ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
5µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F :
60pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SQ-MELF, B
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
B, SQ-MELF
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-JAN1N5809URS
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
62439 Peças
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