PMDPB42UN,115 Ficha de dados
Especificações para PMDPB42UN,115
Número da peça :
PMDPB42UN,115
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrição :
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
3.5nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
185pF @ 10V
Potência - Max :
510mW
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
6-UDFN Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DFN2020-6
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-PMDPB42UN,115
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
54301 Peças
Preço de referência
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