RN1117MFV,L3F Ficha de dados
Especificações para RN1117MFV,L3F
Número da peça :
RN1117MFV,L3F
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de transistor :
NPN - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
100mA
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
50V
Resistor - Base (R1) :
10 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2) :
4.7 kOhms
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
30 @ 10mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
Corrente - corte de coletor (máx.) :
500nA
Freqüência - Transição :
250MHz
Potência - Max :
150mW
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SOT-723
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
VESM
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-RN1117MFV,L3F
Fabricante
Descrição breve
TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
22589707 Peças
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