Especificações para RS1P600BETB1

Número da peça : RS1P600BETB1
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 17.5A (Ta), 60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.7 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-HSOP
Pacote / caso : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
534030 Peças
Preço de referência
USD 0
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