SI8441DB-T2-E1 Ficha de dados
Especificações para SI8441DB-T2-E1
Número da peça :
SI8441DB-T2-E1
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
600pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Pacote / caso :
6-UFBGA
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-SI8441DB-T2-E1
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1062733 Peças
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