SSM6N35FE,LM Ficha de dados
Especificações para SSM6N35FE,LM
Número da peça :
SSM6N35FE,LM
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
9.5pF @ 3V
Potência - Max :
150mW
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SOT-563, SOT-666
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ES6 (1.6x1.6)
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-SSM6N35FE,LM
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
9352133 Peças
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