TK100L60W,VQ Ficha de dados
Especificações para TK100L60W,VQ
Número da peça :
TK100L60W,VQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N CH 600V 100A TO3PL
Series :
DTMOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
360nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
15000pF @ 30V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
797W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3P(L)
Pacote / caso :
TO-3PL
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-TK100L60W,VQ
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N CH 600V 100A TO3PL
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
95872 Peças
Preço de referência
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