Especificações para VP2206N3-G-P003

Número da peça : VP2206N3-G-P003
Fabricante : Microchip Technology
Descrição : MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 640mA (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 10mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 450pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 740mW (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-92-3
Pacote / caso : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Peso : -
Condição : Novo e original
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Descrição breve
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
423710 Peças
Preço de referência
USD 0
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