FQD17N08LTM Ficha de dados
Especificações para FQD17N08LTM
Número da peça :
FQD17N08LTM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK
Series :
QFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 6.45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11.5nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
520pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-FQD17N08LTM
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1474494 Peças
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