FQD17N08LTM - MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK

Número da peça de fabricante

FQD17N08LTM

Número de peça interno

ABC-FQD17N08LTM

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1474494 Pieces

Preço de referência

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Especificações para FQD17N08LTM

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : FQD17N08LTM

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK

Series : QFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12.9A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 6.45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11.5nC @ 5V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 40W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252, (D-Pak)

Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : FQD , FQD17

Documentos para FQD17N08LTM

Folhas de dados : FQD17N08LTM.pdf

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