SIB452DK-T1-GE3 Ficha de dados
Especificações para SIB452DK-T1-GE3
Número da peça :
SIB452DK-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
190V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
135pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SC-75-6L Single
Pacote / caso :
PowerPAK® SC-75-6L
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-SIB452DK-T1-GE3
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1931111 Peças
Preço de referência
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