SIB452DK-T1-GE3 - MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1931111 Pieces
Preço de referência
USD 0.1695
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Especificações para SIB452DK-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SIB452DK-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 190V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 135pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SC-75-6L Single
Pacote / caso : PowerPAK® SC-75-6L
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : SIB45 , SIB452D

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Folhas de dados : SIB452DK-T1-GE3.pdf

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