IXTA3N100P - MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263

Número da peça de fabricante

IXTA3N100P

Número de peça interno

ABC-IXTA3N100P

Fabricante

IXYS

Descrição breve

MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

246568 Pieces

Preço de referência

~~USD 1.3275~~

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Especificações para IXTA3N100P

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IXTA3N100P

Fabricante : IXYS

Descrição : MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263

Series : PolarVHV™

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 125W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263 (IXTA)

Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IXT , IXTA3

Documentos para IXTA3N100P

Folhas de dados : IXTA3N100P.pdf

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