IXTM67N10 - POWER MOSFET TO-3

Número da peça de fabricante

IXTM67N10

Número de peça interno

ABC-IXTM67N10

Fabricante

IXYS

Descrição breve

POWER MOSFET TO-3

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

42159 Pieces

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Especificações para IXTM67N10

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IXTM67N10

Fabricante : IXYS

Descrição : POWER MOSFET TO-3

Series : GigaMOS™

Status da Peça : Last Time Buy

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 67A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 33.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-204AE

Pacote / caso : TO-204AE

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IXT , IXTM

Documentos para IXTM67N10

Folhas de dados : IXTM67N10.pdf

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