S8CJ-M3/I - DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB

Número da peça de fabricante

S8CJ-M3/I

Número de peça interno

ABC-S8CJ-M3/I

Fabricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrição breve

DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

2361639 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.1386~~

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Especificações para S8CJ-M3/I

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : S8CJ-M3/I

Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrição : DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo de Diodo : Standard

Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Atual - Média Retificada (Io) : 8A

Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 985mV @ 8A

Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 4µs

Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 600V

Capacitância @ Vr, F : 79pF @ 4V, 1MHz

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : DO-214AB, SMC

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AB (SMC)

Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : S8C , S8CJ

Documentos para S8CJ-M3/I

Folhas de dados : S8CJ-M3/I.pdf

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