RS1DLHR3G - DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Número da peça de fabricante

RS1DLHR3G

Número de peça interno

ABC-RS1DLHR3G

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição breve

DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

9814833 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.03335~~

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Especificações para RS1DLHR3G

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : RS1DLHR3G

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição : DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Series : Automotive, AEC-Q101

Status da Peça : Active

Tipo de Diodo : Standard

Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V

Atual - Média Retificada (Io) : 800mA

Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 800mA

Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 150ns

Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 200V

Capacitância @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : DO-219AB

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Sub SMA

Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : RS1 , RS1D

Documentos para RS1DLHR3G

Folhas de dados : RS1DLHR3G.pdf

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