SQ2361EES-T1-GE3 - MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23

Número da peça de fabricante

SQ2361EES-T1-GE3

Número de peça interno

ABC-SQ2361EES-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

52864 Pieces

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Especificações para SQ2361EES-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SQ2361EES-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 545pF @ 30V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 2W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3 (TO-236)

Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SQ236 , SQ2361EE

Documentos para SQ2361EES-T1-GE3

Folhas de dados : SQ2361EES-T1-GE3.pdf

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