SIHB33N60ET1-GE3 - MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Número da peça de fabricante

SIHB33N60ET1-GE3

Número de peça interno

ABC-SIHB33N60ET1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

192568 Pieces

Preço de referência

~~USD 1.9425~~

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Especificações para SIHB33N60ET1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SIHB33N60ET1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Series : E

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 33A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3508pF @ 100V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 278W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263 (D²Pak)

Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SIHB3 , SIHB33N6

Documentos para SIHB33N60ET1-GE3

Folhas de dados : SIHB33N60ET1-GE3.pdf

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