IRFW630BTM-FP001 - MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Número da peça de fabricante

IRFW630BTM-FP001

Número de peça interno

ABC-IRFW630BTM-FP001

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1230313 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.26605~~

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Especificações para IRFW630BTM-FP001

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IRFW630BTM-FP001

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Series : -

Status da Peça : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 720pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 3.13W (Ta), 72W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK (TO-263AB)

Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IRFW6 , IRFW630B

Documentos para IRFW630BTM-FP001

Folhas de dados : IRFW630BTM-FP001.pdf

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