FQT1N80TF-WS - MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

Número da peça de fabricante

FQT1N80TF-WS

Número de peça interno

ABC-FQT1N80TF-WS

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1408057 Pieces

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~~USD 0.232465~~

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Especificações para FQT1N80TF-WS

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : FQT1N80TF-WS

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

Series : QFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 200mA (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.2nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 195pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 2.1W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-223-3

Pacote / caso : TO-261-3

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : FQT1 , FQT1N8

Documentos para FQT1N80TF-WS

Folhas de dados : FQT1N80TF-WS.pdf

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