SI8900EDB-T2-E1 - MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

Número da peça de fabricante

SI8900EDB-T2-E1

Número de peça interno

ABC-SI8900EDB-T2-E1

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

380758 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.85965~~

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Especificações para SI8900EDB-T2-E1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI8900EDB-T2-E1

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Recurso FET : Logic Level Gate

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1.1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potência - Max : 1W

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : 10-UFBGA, CSPBGA

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 10-Micro Foot™ CSP (2x5)

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI890 , SI8900E

Documentos para SI8900EDB-T2-E1

Folhas de dados : SI8900EDB-T2-E1.pdf

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