TPH3208PD - GANFET N-CH 650V 20A TO220

Número da peça de fabricante

TPH3208PD

Número de peça interno

ABC-TPH3208PD

Fabricante

Transphorm

Descrição breve

GANFET N-CH 650V 20A TO220

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

77931 Pieces

Preço de referência

~~USD 5.4~~

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Especificações para TPH3208PD

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : TPH3208PD

Fabricante : Transphorm

Descrição : GANFET N-CH 650V 20A TO220

Series : -

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 13A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 300µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 8V

Vgs (máx.) : ±18V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 400V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 96W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB

Pacote / caso : TO-220-3

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : TPH , TPH3

Documentos para TPH3208PD

Folhas de dados : TPH3208PD.pdf

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