FDN357N - MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Número da peça de fabricante

FDN357N

Número de peça interno

ABC-FDN357N

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

4309165 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.07596~~

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Especificações para FDN357N

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : FDN357N

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.9A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.9nC @ 5V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 235pF @ 10V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SuperSOT-3

Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : FD , FDN

Documentos para FDN357N

Folhas de dados : FDN357N.pdf

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