IRF6603TR1 - MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Número da peça de fabricante

IRF6603TR1

Número de peça interno

ABC-IRF6603TR1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

39576 Pieces

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Especificações para IRF6603TR1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IRF6603TR1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Series : HEXFET®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 27A (Ta), 92A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 4.5V

Vgs (máx.) : +20V, -12V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6590pF @ 15V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 3.6W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DIRECTFET™ MT

Pacote / caso : DirectFET™ Isometric MT

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IRF , IRF66

Documentos para IRF6603TR1

Folhas de dados : IRF6603TR1.pdf

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