EPC2111ENGRT - GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
425089 Pieces
Preço de referência
USD 0.77
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Especificações para EPC2111ENGRT

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : EPC2111ENGRT
Fabricante : EPC
Descrição : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Potência - Max : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : EPC2 , EPC211

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Folhas de dados : EPC2111ENGRT.pdf

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