IPG20N04S412ATMA1 - MOSFET 2N-CH 8TDSON

Número da peça de fabricante

IPG20N04S412ATMA1

Número de peça interno

ABC-IPG20N04S412ATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET 2N-CH 8TDSON

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1417836 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.23086~~

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Especificações para IPG20N04S412ATMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IPG20N04S412ATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET 2N-CH 8TDSON

Series : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Status da Peça : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Recurso FET : Standard

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.2 mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 15µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1470pF @ 25V

Potência - Max : 41W

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : 8-PowerVDFN

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TDSON-8-4

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IPG20 , IPG20N04

Documentos para IPG20N04S412ATMA1

Folhas de dados : IPG20N04S412ATMA1.pdf

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