TJ8S06M3L(T6L1,NQ) - MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

Número da peça de fabricante

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Número de peça interno

ABC-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve

MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1416982 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.231~~

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Especificações para TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição : MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

Series : U-MOSVI

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 104 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V

Vgs (máx.) : +10V, -20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 890pF @ 10V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 27W (Tc)

Temperatura de operação : 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK+

Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : TJ8S06 , TJ8S06M3L

Documentos para TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Folhas de dados : TJ8S06M3L(T6L1,NQ).pdf

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