FDD306P - MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK

Número da peça de fabricante

FDD306P

Número de peça interno

ABC-FDD306P

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1843814 Pieces

Preço de referência

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Especificações para FDD306P

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : FDD306P

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK

Series : PowerTrench®

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.7A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 6.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 4.5V

Vgs (máx.) : ±8V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1290pF @ 6V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 52W (Ta)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252

Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : FD , FDD

Documentos para FDD306P

Folhas de dados : FDD306P.pdf

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