SI4833BDY-T1-GE3 - MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC

Número da peça de fabricante

SI4833BDY-T1-GE3

Número de peça interno

ABC-SI4833BDY-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

2312758 Pieces

Preço de referência

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Especificações para SI4833BDY-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI4833BDY-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC

Series : LITTLE FOOT®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.6A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 68 mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 15V

Recurso FET : Schottky Diode (Isolated)

Dissipação de energia (máx.) : 2.75W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOIC

Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI483 , SI4833BD

Documentos para SI4833BDY-T1-GE3

Folhas de dados : SI4833BDY-T1-GE3.pdf

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