IRF6665TR1PBF - MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

Número da peça de fabricante

IRF6665TR1PBF

Número de peça interno

ABC-IRF6665TR1PBF

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

59000 Pieces

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Especificações para IRF6665TR1PBF

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IRF6665TR1PBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

Series : HEXFET®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.2A (Ta), 19A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 530pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 2.2W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DIRECTFET™ SH

Pacote / caso : DirectFET™ Isometric SH

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IRF6 , IRF666

Documentos para IRF6665TR1PBF

Folhas de dados : IRF6665TR1PBF.pdf

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