S1BHE3_A/I - DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Número da peça de fabricante

S1BHE3_A/I

Número de peça interno

ABC-S1BHE3_A/I

Fabricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrição breve

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

9464357 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.034585~~

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Especificações para S1BHE3_A/I

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : S1BHE3_A/I

Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrição : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo de Diodo : Standard

Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V

Atual - Média Retificada (Io) : 1A

Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A

Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 1.8µs

Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1µA @ 100V

Capacitância @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : DO-214AC, SMA

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AC (SMA)

Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : S1B , S1BHE

Documentos para S1BHE3_A/I

Folhas de dados : S1BHE3_A/I.pdf

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