RF4E080BNTR - MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML

Número da peça de fabricante

RF4E080BNTR

Número de peça interno

ABC-RF4E080BNTR

Fabricante

Rohm Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

2774877 Pieces

Preço de referência

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Especificações para RF4E080BNTR

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : RF4E080BNTR

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.6 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14.5nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 15V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta)

Temperatura de operação : 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : HUML2020L8

Pacote / caso : 8-PowerUDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : RF4 , RF4E0

Documentos para RF4E080BNTR

Folhas de dados : RF4E080BNTR.pdf

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