NDD60N745U1-1G - MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4

Número da peça de fabricante

NDD60N745U1-1G

Número de peça interno

ABC-NDD60N745U1-1G

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

87264 Pieces

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Especificações para NDD60N745U1-1G

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : NDD60N745U1-1G

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4

Series : -

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.6A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 745 mOhm @ 3.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±25V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 50V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 84W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I-PAK

Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : NDD6 , NDD60N7

Documentos para NDD60N745U1-1G

Folhas de dados : NDD60N745U1-1G.pdf

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