FDS6699S - MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Número da peça de fabricante

FDS6699S

Número de peça interno

ABC-FDS6699S

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1005179 Pieces

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Especificações para FDS6699S

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : FDS6699S

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Series : PowerTrench®, SyncFET™

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 21A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 91nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3610pF @ 15V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOIC

Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : FD , FDS6

Documentos para FDS6699S

Folhas de dados : FDS6699S.pdf

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