GB05SLT12-252 - DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-GB05SLT12-252
Fabricante
Descrição breve
DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
214544 Pieces
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Especificações para GB05SLT12-252
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : GB05SLT12-252
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Atual - Média Retificada (Io) : 5A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 2A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 50µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F : 260pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para GB05SLT12-252
Folhas de dados : GB05SLT12-252.pdf
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