TPH2R506PL,L1Q - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Número da peça de fabricante

TPH2R506PL,L1Q

Número de peça interno

ABC-TPH2R506PL,L1Q

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

682626 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.4795~~

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Especificações para TPH2R506PL,L1Q

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : TPH2R506PL,L1Q

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Series : U-MOSIX-H

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 30A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 500µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5435pF @ 30V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 132W (Tc)

Temperatura de operação : 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP Advance (5x5)

Pacote / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : TPH2 , TPH2R50

Documentos para TPH2R506PL,L1Q

Folhas de dados : TPH2R506PL,L1Q.pdf

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