TSM60N1R4CH C5G - MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251

Número da peça de fabricante

TSM60N1R4CH C5G

Número de peça interno

ABC-TSM60N1R4CH C5G

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição breve

MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1422155 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.23016~~

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Especificações para TSM60N1R4CH C5G

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : TSM60N1R4CH C5G

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição : MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251

Series : -

Status da Peça : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.3A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.7nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 370pF @ 100V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 38W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-251 (IPAK)

Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : TSM60 , TSM60N1

Documentos para TSM60N1R4CH C5G

Folhas de dados : TSM60N1R4CH C5G.pdf

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