IXFT58N20 - MOSFET N-CH 200V 58A TO-268

Número da peça de fabricante

IXFT58N20

Número de peça interno

ABC-IXFT58N20

Fabricante

IXYS

Descrição breve

MOSFET N-CH 200V 58A TO-268

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

78030 Pieces

Preço de referência

~~USD 5.392835~~

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Especificações para IXFT58N20

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IXFT58N20

Fabricante : IXYS

Descrição : MOSFET N-CH 200V 58A TO-268

Series : HiPerFET™

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 58A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 220nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4400pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-268

Pacote / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IXF , IXFT

Documentos para IXFT58N20

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