IPP65R125C7XKSA1 - MOSFET N-CH 650V 18A TO220

Número da peça de fabricante

IPP65R125C7XKSA1

Número de peça interno

ABC-IPP65R125C7XKSA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 650V 18A TO220

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

151752 Pieces

Preço de referência

~~USD 2.465~~

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Especificações para IPP65R125C7XKSA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IPP65R125C7XKSA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 650V 18A TO220

Series : CoolMOS™ C7

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 440µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1670pF @ 400V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 101W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220-3

Pacote / caso : TO-220-3

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IPP65 , IPP65R12

Documentos para IPP65R125C7XKSA1

Folhas de dados : IPP65R125C7XKSA1.pdf

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