MT41K512M8V00HWC1 - IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Descrição breve
IC DRAM 4G PARALLEL DIE
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
83691 Pieces
Preço de referência
USD 5.59
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Especificações para MT41K512M8V00HWC1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : MT41K512M8V00HWC1
Fabricante : Micron Technology Inc.
Descrição : IC DRAM 4G PARALLEL DIE
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de memória : Volatile
Formato de memória : DRAM
Tecnologia : SDRAM - DDR3L
Tamanho da memória : 4Gb (512M x 8)
Freqüência do relógio : -
Escrever tempo de ciclo - Word, página : -
Tempo de acesso : -
Interface de memória : Parallel
Tensão - fonte : 1.283V ~ 1.45V
Temperatura de operação : 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montagem : -
Pacote / caso : -
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : -
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : MT41K , MT41K512

Documentos para MT41K512M8V00HWC1

Folhas de dados : MT41K512M8V00HWC1.pdf

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