BYV30JT-600PQ - DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P

Número da peça de fabricante

BYV30JT-600PQ

Número de peça interno

ABC-BYV30JT-600PQ

Fabricante

WeEn Semiconductors

Descrição breve

DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

49335 Pieces

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Especificações para BYV30JT-600PQ

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : BYV30JT-600PQ

Fabricante : WeEn Semiconductors

Descrição : DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo de Diodo : Standard

Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Atual - Média Retificada (Io) : 30A

Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 30A

Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 65ns

Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 600V

Capacitância @ Vr, F : -

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3P

Temperatura de funcionamento - junção : 175°C (Max)

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : BYV3 , BYV30J

Documentos para BYV30JT-600PQ

Folhas de dados : BYV30JT-600PQ.pdf

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