BSG0810NDIATMA1 - MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

Número da peça de fabricante

BSG0810NDIATMA1

Número de peça interno

ABC-BSG0810NDIATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

583912 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.56056~~

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Especificações para BSG0810NDIATMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : BSG0810NDIATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

Series : OptiMOS™

Status da Peça : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Recurso FET : Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 25V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 19A, 39A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.4nC @ 4.5V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1040pF @ 12V

Potência - Max : 2.5W

Temperatura de operação : -55°C ~ 155°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : 8-PowerTDFN

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TISON-8

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : BSG08 , BSG0810

Documentos para BSG0810NDIATMA1

Folhas de dados : BSG0810NDIATMA1.pdf

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