FDN5618P_G - INTEGRATED CIRCUIT

Número da peça de fabricante

FDN5618P_G

Número de peça interno

ABC-FDN5618P_G

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

INTEGRATED CIRCUIT

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

40937 Pieces

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Especificações para FDN5618P_G

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : FDN5618P_G

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : INTEGRATED CIRCUIT

Series : PowerTrench®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.25A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 13.8nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 430pF @ 30V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SuperSOT-3

Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : FDN , FDN56

Documentos para FDN5618P_G

Folhas de dados : FDN5618P_G.pdf

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