PHD18NQ10T,118 - MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

Número da peça de fabricante

PHD18NQ10T,118

Número de peça interno

ABC-PHD18NQ10T,118

Fabricante

NXP USA Inc.

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

45721 Pieces

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Especificações para PHD18NQ10T,118

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : PHD18NQ10T,118

Fabricante : NXP USA Inc.

Descrição : MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

Series : TrenchMOS™

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 633pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 79W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK

Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : PHD1 , PHD18NQ

Documentos para PHD18NQ10T,118

Folhas de dados : PHD18NQ10T,118.pdf

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