BSC028N06NSTATMA1 - DIFFERENTIATED MOSFETS

Número da peça de fabricante

BSC028N06NSTATMA1

Número de peça interno

ABC-BSC028N06NSTATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

DIFFERENTIATED MOSFETS

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

666456 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.491135~~

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Especificações para BSC028N06NSTATMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : BSC028N06NSTATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : DIFFERENTIATED MOSFETS

Series : OptiMOS™

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 24A (Ta), 100A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.3V @ 50µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3375pF @ 30V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 3W (Ta), 100W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TDSON-8

Pacote / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : BSC02 , BSC028N0

Documentos para BSC028N06NSTATMA1

Folhas de dados : BSC028N06NSTATMA1.pdf

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